1、LDD区域中的杂质分布越来越靠近衬底表面.
2、采用 电泳沉积 法在Si ( 111 ) 衬底上制备出了GaN薄膜.
3、摘要提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型.
4、衬底温度对于无序区积累的影响是很显著的.
5、铜垫片, 铜衬底